Estadísticas
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| Terahertz emission increase in GaAs films exhibiting structural defects grown on Si (100) substrates using a two-layered LTG-GaAs buffer system | 112 |
Visitas al mes
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| Terahertz emission increase in GaAs films exhibiting structural defects grown on Si (100) substrates using a two-layered LTG-GaAs buffer system | 2 | 0 | 1 | 4 | 0 | 2 | 1 |
Descargas del fichero
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| gonzales_2021_terahertz.pdf | 67 |
Países con más visualizaciones
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| Estados Unidos | 78 |
| Polonia | 8 |
| Filipinas | 7 |
| España | 5 |
| Suecia | 5 |
| AP | 3 |
| China | 2 |
| Irlanda | 2 |
| Bangladesh | 1 |
| Noruega | 1 |
Ciudades con más visualizaciones
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| Oakland | 35 |
| Pampanga | 6 |
| Ann Arbor | 5 |
| Castellón | 5 |
| Fairfield | 5 |
| Houston | 5 |
| Ashburn | 4 |
| Cambridge | 3 |
| Mountain View | 3 |
| Dublin | 2 |
