Stabilization of Polymorphic Halide Perovskite Black Phase for Optoelectronic Applications
Metadata
Show full item recordcomunitat-uji-handle:10234/9
comunitat-uji-handle2:10234/29747
comunitat-uji-handle3:10234/162741
comunitat-uji-handle4:
TESISMetadata
Title
Stabilization of Polymorphic Halide Perovskite Black Phase for Optoelectronic ApplicationsAuthor (s)
Director
Mora Seró, Iván; Masi, SofíaDoctoral Studies
Programa de Doctorat en CiènciesResponsible entity
Universitat Jaume I. Escola de DoctoratDate of defense
2022-05-26Description
Compendi d'articles. Doctorat internacional
Publisher
Universitat Jaume ISubject
Pages
274 p.;Abstract
The photovoltaic and luminance efficiencies of halide perovskite-based devices achieved an unprecedented improvement in comparison to their existing counterparts. Among the family of lead-based halide perovskites, the ... [+]
The photovoltaic and luminance efficiencies of halide perovskite-based devices achieved an unprecedented improvement in comparison to their existing counterparts. Among the family of lead-based halide perovskites, the formamidinium lead iodide (FAPbI3) and cesium lead iodide (CsPbI3) systems are especially interesting in the occurrence of low bandgap nature to the former and high thermal stability to the latter class of material. However, the room temperature polymorphic behaviour and the existence of the non-photoactive phase curbs the potentiality of these halide perovskites in efficient and stable optoelectronic devices. In this aspect, our study revealed the phase stability of polymorphic FAPbI3 halide perovskite by benefitting the diversity of the embedded PbS QDs additive in terms of chemical and structural traits for manipulating the morphological, structural, and black phase stability of the blended FAPbI3 system. In addition, our work illustrates the benefits of the low-cost ambient atmospheric fabrication for the formation of efficient and stable polymorphic FAPbI3 halide perovskite thin films and solar cells. Finally, it is pointed out the necessity of balanced charge carrier injection in CsPbI3 QDs PeLEDs by carefully choosing the quality of emissive material and suitable interfacial charge transport layers for the efficiency and stability of the devices. [-]
Rights
ADVERTIMENT. Tots els drets reservats. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.
info:eu-repo/semantics/openAccess
info:eu-repo/semantics/openAccess