Listar por tema "Electronics"
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Large hole spin anticrossings in InAs/GaAs double quantum dots
AIP Publishing (2013-09-23)We show that hole states in InAs/GaAs double quantum dots can exhibit spin anticrossings of up to 1 meV, according to simulations with a three dimensional Burt-Foreman Hamiltonian including strain and piezoelectric fields. ... -
Política industrial europea para los años 1990. Suplemento 3/91 del Boletín de las Comunidades Europeas
Oficina de Publicaciones Oficiales de las Comunidades Europeas (1991)